ボッシュ（Bosch）は10月8日、EVなどの電動車向けに、新世代のSiC（炭化ケイ素）パワー半導体を開発し、ドイツの新工場で生産すると発表した。
ボッシュが開発した新世代のSiCパワー半導体は、エレクトロモビリティを前進させる効果が期待されている。SiCパワー半導体はEVやハイブリッド車など、電動車のパワーエレクトロニクスの中核技術のひとつになる。
SiCパワー半導体は従来のシリコンチップと比較して、導電性に優れている。これにより、より高いスイッチング周波数が可能になると同時に、消費エネルギーが少なくなるという。
炭化ケイ素で作られた半導体は、スイッチング速度、熱損失、サイズの面で新しい基準を打ち立てる。とくに、EVやハイブリッド車への搭載は、多くの利点があるという。
ボッシュが開発した電動車向けの新世代SiCパワー半導体具体的には、パワーエレクトロニクスにおいて、熱として失われるエネルギーを50％削減する。これにより、モーターなどのパワーエレクトロニクスが、より効率的になる。ボッシュは、1回のバッテリー充電での航続を、6％延ばすことが可能になる、としている。