レゾナック・ホールディングス傘下のレゾナック社は9月24日、フランスの半導体基板材料メーカーのソイテック社と、パワー半導体用の8インチ炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハー向け貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した、と発表した。
この提携により、レゾナック社の高品質SiC単結晶基板とソイテック社の基板貼り合わせ技術を組み合わせ、8インチSiCウェハーの生産性向上を図る。さらに、SiCエピウェハービジネスにおけるサプライチェーンの多様化も目指している。
SiCパワー半導体は、電力変換時の損失が少なく省エネルギー化に貢献するため、EVや産業機器などで需要が急拡大している。しかし、その主要材料となるSiC単結晶基板の生産には高度な技術と時間を要し、生産性向上が課題となっていた。
