三洋半導体、リチウムイオン電池向けMOSFETを開発

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リチウムイオン電池充放電保護回路用MOSFET
リチウムイオン電池充放電保護回路用MOSFET 全 1 枚 拡大写真

三洋半導体は、リチウムイオン電池の充放電保護回路に最適なMOSFETを2機種を開発した。5月からサンプル出荷を開始し、6月から順次量産する。

リチウムイオン電池パックは、電池の充放電時の発熱・劣化などを抑えるために、充放電保護回路を内蔵する。新製品は、この充放電保護回路のスイッチ用途として使用されるMOSFETで、独自技術により低オン抵抗特性と小型・薄型化を業界最高水準で実現している。特にBGA構造に裏面保護膜技術による保護膜を付けて対衝撃性を確保、外部からの衝撃からチップを保護する。

また、鉛フリー、ハロゲンフリー、高性能化による省エネルギー、レアメタル使用の削減、小型・薄型化による原材料の省資源化などに貢献する。

サンプル価格はEFC4612Rが100円、EFC4615Rが150円。

《レスポンス編集部》

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