ボッシュ、第3世代SiCチップ導入開始…従来比20％高性能でEVの効率向上へ

ボッシュは、電気自動車の効率を高め、航続距離の延長に役立つSiC（炭化ケイ素）半導体の開発をさらに進化させたと発表した。

同社は第3世代SiC半導体の導入を開始し、世界の自動車メーカーにサンプルを供給する。エネルギーの流れを制御し、効率性を最大限に高めるという。

ボッシュは次世代SiCチップについて、従来比20％高性能で、サイズも大幅に小型化できるとした。小型化により、1枚のウエハから製造できるチップ数を増やし、コスト効率を高める狙いがある。