NECとNECエレクトロニクス、システムLSI組込み可能な高速 MRAM を開発

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NECとNECエレクトロニクス、システムLSI組込み可能な高速 MRAM を開発
NECとNECエレクトロニクス、システムLSI組込み可能な高速 MRAM を開発 全 1 枚 拡大写真

NECとNECエレクトロニクスは12日、高速MRAMについてシステムLSIへの組み込み実現につながる大容量の32Mb(メガビット)MRAMを開発し、動作実証に成功したと発表した。

NECは従来、MRAMの高速性に注目し、システムLSIへの組込みを考え、システムLSIに組み込むためのメモリマクロ用に高速MRAM技術を開発してきた。しかし、高速動作のMRAMは、通常のMRAMよりもセルサイズが大きく大容量化の課題だった。
 
今回開発した32Mb MRAMは、メモリマクロにおける周辺回路の面積を削減し、マクロ面積の73%の領域をメモリセルに割り当てることができる高いセル占有率を達成した。これにより、マクロサイズを通常のMRAMと同等に小型化できることを実証、NECの高速MRAMセル技術が大容量化にも応用できる見通しが得られた、としている。

《レスポンス編集部》

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