NECエレクトロニクスは28日、オンチップ配線に匹敵する微細インターポーザー配線によりチップ間接続を実現できるシステム・イン・パッケージ（SiP）技術を開発したと発表した。
東京工業大学と共同で本インターポーザー配線の伝送特性を実測し、10GHz以上の高速伝送性能が得られることを確認した。この技術を適用することによりロボットや自動車走行支援システムなどで高度な認識・判断処理や、ゲームなどの高速三次元グラフィックス処理など、メモリ/ロジック間の高速伝送が要求される分野で、従来にない高速信号処理を小型・低消費電力・低コストで実現できるようになる。
このパッケージ技術は、既に同社が公表しているSiP技術「スマフティ」をさらに発展させたもので、Siウェハ上に形成するフィードスルーインターポーザー（FTI）の多層化を実現したもの。これにより、パッケージ内の配線引き回し性能が飛躍的に向上し、自由度の高いパッケージ設計が可能となる。
多層化のポイントは、樹脂CMPによる配線体の平坦化処理で、今回開発したCMP技術では5μm以上の樹脂段差を0.5μm以内に抑えることが可能。これにより、チップと多層FTIを50μmピッチのマイクロバンプで接合することができるようになったほか、伝送線路の形成も容易になり、信号伝送特性が向上した。
