ルネサスエレクトロニクスは、40nm（ナノメートル）プロセスのマイコン内蔵用フラッシュメモリを業界で初めて開発した。
内蔵用フラッシュメモリは、品質と信頼性を維持したまま微細化することは一般的に困難。同社は90nmマイコン用に採用しているMONOS構造フラッシュメモリを40nmプロセス上で改良することにより両立した。
自動車をはじめ高い信頼性が要求される機器では、制御の高度化に加え、機能安全への対応やセキュリティ対応、ネットワーク対応などのため、車載用フラッシュマイコンの高性能化と多機能化が要求されている。
同社は、長年培ってきたノウハウと90nmへの微細化対応のノウハウをもとに、業界で初めて40nmのマイコン内蔵用フラッシュメモリIPを開発した。これにより55nmなどの段階を踏まず、40nmの車載用フラッシュマイコンを製品化することが可能となり、フラッシュメモリ以外のロジック部分の微細化効果と併せて提供できるようになった。
試作チップで120MHzの高速読み出しと20年のデータ保持時間、12.5万回の書き換えサイクル数を確認した。今後、製品への適用を加速し、業界最先端となる40nm車載用フラッシュメモリ内蔵マイコンを2012年初秋までに製品化し、サンプル出荷を開始する予定。
