三菱電機、EV・HEV向け小型パワー半導体モジュール2品種をサンプル提供
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新製品は、6in1化したことで従来の2in1製品を3台使用した場合に比べ、実装床面積で約80％に縮小し、インバーターの小型化に貢献する。
また、CSTBTTM（Carrier Stored Trench－Gate Bipolar Transistor）構造を採用した第6世代IGBTの搭載により、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を同社従来製品より約15％低減し、低消費電力化に貢献。さらに、冷却フィン一体の直接水冷構造により、同社従来品より放熱特性を40％向上し、自動車用インバーターの小型化・高信頼化に寄与している。
なお、同製品は5月14日から16日の期間、ドイツ・ニュルンベルグで開催される「PCIM（Power Conversion Intelligent Motion）Europe 2013」に出展する予定。
サンプル価格は、各6万5000円。
《村尾純司＠DAYS》
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