ルネサスエレクトロニクスは、回路線幅が16／14nm（ナノメートル）世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリセルの開発に世界で初めて成功した。
SG-MONOS技術は、車載応用可能な信頼性を持ち、この技術を適用した40nm世代マイコンを量産しているほか、28nm世代マイコンを開発している。今回の開発成功により16／14nm以降の世代までスケーリングが可能になった。
先進運転支援システム（ADAS）に代表されるクルマの自動化やIoT（モノのインターネット）を介したスマート社会の進展に伴い、より微細なプロセスを用いた最先端マイコンが求められている。このため、40／28nm世代よりさらにプロセス世代を先どりした16／14nmのロジックプロセスをベースにした混載フラッシュメモリの開発が求められていた。
16／14nmロジックプロセスでは、従来のプレーナ構造のトランジスタでは微細化に限界が出てきたため、新しくフィン構造を導入した立体トランジスタの採用によって性能向上と消費電力抑制を図ることが標準となっている。ただ、混載フラッシュメモリにフィン構造を導入するには、フラッシュメモリの構造との親和性という大きな障壁があった。
混載フラッシュメモリの構造としては、浮遊ゲート型と電荷トラップ型の2種類が提案、実用化されている。同社が従来採用してきた電荷トラップ型のフラッシュメモリは、浮遊ゲート型に比べて電荷保持特性に優れ、高い信頼性が要求される車載マイコンへの応用に関し高い実績を持つ。また、そのメモリ保持部をシリコン基板面に形成しているため、三次元立体構造であるフィン構造への展開が比較的容易にできる。
これに対して、浮遊ゲート型のフラッシュメモリはセル構造が複雑なため、フィン構造に混載することが困難。加えて、高誘電体ゲート絶縁膜とメタルゲート電極を有するCMOSで採用されている、トランジスタ形成後にポリシリコンゲート電極をメタルゲート電極と置き換えるプロセスに対して、メモリセル構造の維持が容易であることも、SG-MONOSが浮遊ゲート構造に勝る。
今回、これらのスケーラビリティに優れるフィン構造のSG-MONOSフラッシュメモリを、16／14nm世代以降の高性能・高信頼性マイコンに向けて世界で初めて開発に成功した。
