NXPセミコンダクターズ（NXP）は6月4日、EV向けの次世代SiC（シリコンカーバイド）ベースのトラクション・インバータ・ソリューションの開発に向けて、ZFと提携すると発表した。
NXPの「GD316x」高電圧（HV）絶縁ゲートドライバーを採用したこのソリューションは、800VのSiCパワー・デバイスの普及を加速する。GD316x製品ファミリーが実現する安全性、効率性、性能に優れたトラクション・インバータは、EVの航続の延長、充電頻度の低減、自動車メーカーのコストの削減を実現する。ZFとNXPの提携は自動車産業の電動化を加速し、安全性、持続可能性、エネルギー効率性に優れたEVを開発するための重要な一歩になるという。
トラクション・インバータはEVの電気パワートレインの重要なコンポーネントとして、バッテリーからのAC電圧を時間によって変動するDC電圧に変換し、車両のモーターを駆動する役割を担っている。最近のトラクション・インバータはSiCベースの設計に移行している。SiCパワー・デバイスは従来のシリコン・ベースの「IGBT」や「MOSFET」パワー・スイッチと比較して、高いスイッチング周波数、低い導通損失、優れた熱特性、高電圧での優れた堅牢性などの優位点があるが、それを活用するにはHV絶縁ゲート・ドライバーを併用する必要がある。
機能安全対応の絶縁型高電圧ゲート・ドライバーのGD316xファミリーは、プログラマブル制御、診断、監視、保護機能を内蔵しており、車載トラクション・インバータ・アプリケーション向けの最新のSiCパワー・モジュールを駆動できるよう強化されている。高いレベルの統合性が備わっているため、小型化とシステム設計の簡素化が可能、と自負する。
