オンセミは7月19日、最新世代のシリコンカーバイド（SiC）技術のプラットフォーム「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。
深刻化する気候危機と世界的なエネルギー需要の激増に直面する中、各国政府および産業界は環境への影響を緩和し、持続可能な未来を実現するための気候変動目標に取り組んでいる。オンセミは、この世界的な移行を推進するための重要な一歩として、EliteSiC M3e MOSFETを発表するとともに、2030年までに複数世代にわたるプラットフォームを発売する予定も明らかにした。
