STマイクロエレクトロニクス（以下、ST）は、第4世代 STPOWER SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを発表した。
この第4世代技術は、電力効率、電力密度、および堅牢性の向上を実現する。車載機器および産業機器市場のニーズに対応し、特にEVパワートレインの主要コンポーネントのトラクション・インバータ向けに最適化されている。また、STは、イノベーションへの取り組みとして、2027年にかけてより高度なSiC技術を発表する計画を明らかにした。
SiCパワーMOSFET市場をけん引するSTは、シリコンMOSFETを上回るSiCの高い効率と電力密度を生かして、さらなるイノベーションを推進している。最新の第4世代 SiCパワーMOSFETは、次世代EVトラクション・インバータのさらなる小型・省電力化に貢献することが見込まれている。
