BASFは10月23日、次世代パワーエレクトロニクス向けに、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)半導体のハウジング製造に最適な新しいポリフタルアミド(PPA)樹脂を開発した、と発表した。
Ultramid Advanced N3U41 G6と名付けられたこの新素材は、EV、高速鉄道、スマート製造、再生可能エネルギーの発電など、高性能で信頼性のある電子部品の需要拡大に対応している。パワーエレクトロニクスのグローバル技術リーダーであるセミクロンダンフォスは、太陽光発電および風力発電システムのインバータに組み込むSemitrans 10 IGBTの樹脂ハウジングにBASFのPPAを採用している。
