STマイクロエレクトロニクスは、電気自動車（EV）のパワートレイン向けに、SiC MOSFETおよびIGBT用の車載ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。
このドライバは、さまざまな電力定格のインバータを柔軟に制御できる機能を備え、自動車の安全規格であるISO 26262の最高安全レベルASIL Dへの認定を可能にする診断機能と保護機能を搭載している。
STGAP4Sの特徴的な点は、出力回路の柔軟性にある。外付けMOSFETのプッシュプル・バッファを介してゲート駆動電流を拡張でき、電力定格が異なるインバータの制御や、複数のパワースイッチを並列使用する高出力設計にも対応可能だ。最大1200Vの動作電圧に対応し、小型のパワーMOSFETで最大数十アンペアのゲート駆動電流を生成できる。
