双方向電流制御可能なGaNスイッチ、EV充電の高速化とV2G実現…インフィニオンが発表

ドイツの半導体大手インフィニオン・テクノロジーズは、両方向に電圧と電流を能動的に制御できる画期的なガリウムナイトライド（GaN）スイッチ「CoolGaN 双方向スイッチ（BDS）650V G5」を発表した。

この新製品は、共通ドレイン設計と二重ゲート構造を特徴とし、同社の堅牢なゲート注入トランジスタ（GIT）技術を活用している。CoolGaN技術により実現された単一素子の双方向スイッチは、コンバーターで一般的に使用される従来のバック・ツー・バック構成に代わる高効率な代替品となる。