ドイツの半導体大手インフィニオン テクノロジーズは、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス向けの新技術「トレンチスーパージャンクション（TSJ）」を発表した。
同社は25年以上にわたりシリコンベースのスーパージャンクション技術（CoolMOS）で培った経験を活かし、SiC分野でも革新的な技術を実現した。新技術により、400Vから3.3kVの幅広い電圧範囲で、自動車のドライブトレイン、EV充電、太陽光エネルギーシステム、エネルギー貯蔵などの用途をカバーする。
最初の製品は車載用トラクションインバーター向けの1200V製品で、インフィニオンID-PAKパッケージに収納される。この技術の主な利点は、RDS(on)×Aが最大40%向上することによる電力密度の増加だ。同じ電力クラス内でよりコンパクトな設計が可能になり、メインインバーターの電流能力を最大25%向上させることができる。
