STマイクロエレクトロニクスは、60ナノ秒の応答時間と個体間特性のバラつきを最小限まで抑制したガルバニック絶縁型4Aゲートドライバ「STGAP2SA」および「STGAP2HSA」を発表した。これらの車載グレード対応品は、高速スイッチング周波数を可能にし、電力密度と効率の向上に貢献する。両製品は、最大1200Vの高電圧レールで動作するIGBTやSiパワーMOSFETに最適で、ユニポーラあるいはバイポーラの駆動において、最大26Vの駆動電圧で4Aの電流シンク/ソースが可能だ。