三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターやeAxle（モーター・インバーター・ギヤボックスを一体化した駆動ユニット）に使用される新しいSiC-MOSFET（炭化ケイ素を用いた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）チップ2品種のサンプル提供を開始した。
新製品は同社が独自に開発したトレンチ構造を持つ第5世代SiC-MOSFETチップで、従来品（第4世代トレンチ型SiC-MOSFET）と比較してオン抵抗を約25%低減し、業界トップクラス（2026年5月29日現在・同社調べ）の低オン抵抗を実現した。
オン抵抗とは、パワー半導体がスイッチオン状態のときにドレイン・ソース間に生じる抵抗値で、この値が小さいほど導通時の電力損失が少なく、発熱も抑えられる。
