英国の半導体メーカー、ケンブリッジGANデバイシズ（CGD）はEV向けインバーターの効率改善を目的とした650V GaN IC「ICeGaN」を開発したと発表した。
同製品は、自動車メーカーが求めるインバーターの高効率化に応えるもので、EVの航続距離延長を通じて、内燃機関（ICE）からEVへの消費者移行をさらに促進することを目指している。
新型ICeGaNデバイスは、オン抵抗がわずか9mΩという低い値を実現しており、EVパワートレイン全体における電力損失を大幅に低減する。これにより、熱管理のための部品や対策を簡素化できるほか、高周波スイッチングが可能になることで推進システムの小型化・軽量化にも貢献し、車両の航続距離向上につながる。
