ソニーとソニー・コンピューターエンタテイメント、IBM、東芝は、プレイステーションビジネスを強化するため、ゲーム機向け高性能半導体の生産で協力することで合意した。
ソニーとIBMはこれまで、高性能プロセッサ「セル・ブロードバンド・エンジン」（Cell/B.E.）の製造で協力関係を構築してきたが、今回45ナノメートルのシリコン・オン・インシュレーター（SOI）プロセス技術を使ったCell/B.E.の量産化でも協力関係を進展させることで合意した。
両社は45ナノメートル製造能力を最適化し、ソニーの『プレイステーション3』向け低消費電力、低コストの高性能半導体の量産化体制を構築する。IBMは米国ニューヨーク州にある既存の65ナノメートル製造体制を45ナノメートルに移行させる。
また、ソニーと東芝は45ナノメートルバルクプロセス技術を用いた高性能半導体の製造強化に向けて、協業関係を進展させるため、合弁会社を設立する。プロセス技術を既存の65ナノメートルから45ナノメートルに移行させ、ゲームやデジタル機器向けの高性能半導体の競争力を強化する。
