エルピーダメモリとキマンダは、DRAMの共同開発に関する戦略的技術提携を締結することで合意、正式契約を結んだ。提携は、DRAM業界での両社の技術的な優位性を加速し、さらに進展させるものとしている。
キマンダの革新的な埋め込み型ワード線技術のノウハウとエルピーダの先端スタックキャパシタ技術をベースに、両社はテクノロジープラットフォームと設計ルールの共同開発を行う。
具体的には、両社で開発した先進的な4F2セルを適用した40nm（ナノメートル）世代のプロセスを2010年までに市場投入し、30nm世代への展開も目指す。エンジニアの相互派遣も含めた開発活動は、広島とドレスデンにある両社の開発拠点で行う。
また、両社は今後TSV（貫通電極）技術および次世代メモリ分野での共同開発を検討するとともに、合弁生産の可能性についても協議する。
両社は、製品や技術の開発において、設計の完全な自由度を確保するため、IPに関する広範なクロスライセンスも締結した。
