STマイクロエレクトロニクスは、最小のオン抵抗を搭載することで、エネルギー変換損失を最小化し、より高い性能を実現する250アンペア（A）の表面実装型パワーMOSFETを発表した。
このデバイスは、電動アシスト自転車などのアプリケーションでトータル・コストを低減し、環境への影響の低減を図れる。
新デバイスのSTV250N55F3は、ダイ・フリーでのパッケージ抵抗を低く抑えるために、STのPowerSO-10パッケージとリボン・ボンディングを組み合わせた初のパワーMOSFET。
大容量STripFETのプロセスで製造されるこのデバイスのオン抵抗は、通常1.5ミリオーム。さらに、STripFETには、低スイッチング損失や堅牢なアバランシェ特性などの利点もある。9ピン・ソース接続も、放熱を促すと共に、オン抵抗を減少させる。全体のパッケージ定格は、25度の動作温度で300Wの損失となる。この大電流定格により、複数の並列MOSFETの設計が可能となり、実装面積と部材コストを低減することが可能となる。標準的なゲート電圧も駆動回路の設計を簡素化する。
STV250N55F3は、最高175度で動作できるため、フォークリフト、ゴルフ・カート、パレット・トラックといった大電流の電動車両アプリケーションや、芝刈り機、車椅子、電動アシスト自転車での使用に適していると、している。将来的には、オートモーティブ・グレードのアプリケーションにも対応する予定。
現在、サンプル出荷中で、2008年の第3四半期に量産を予定している。約1万個購入時の単価は、約2.50ドル。
