古河機械金属は31日、窒化ガリウム（GaN）関連の開発拠点を栃木県小山市に新設したと発表した。
GaN基板は、中期経営計画（2008-2010年度）で「次世代半導体材料等の新製品の開発と市場投入」として位置づけ、もっとも力を入れている研究開発製品の一つ。GaN基板は、ブルーレイディスクなどの青紫レーザーダイオード（LD）や、蛍光灯に変わる高輝度白色発光ダイオード（LED）、将来の電気自動車向けのパワーデバイス用基板として、量産化・低価格化への期待が集まっている。
同社は、昨年4月に研究開発本部内にGaN基板関連の事業化を目指してナイトライド事業室を新設した。今回完成した新棟は、分散していた開発拠点を集約し、GaN基板の量産化を加速させるため、グループの小山工場敷地内に建設した。新棟は地上3階建、延床面積2999平方mの施設で竣工式を行った。
新棟には、現在窒化物半導体のエピタキシャル成長基板の事業を展開しており、同社と資本・業務提携しているパウデックも移転する。古河機械はGaN基板を用いたエピタキシャル成長基板にも進出することを目指しており、パウデック社と共同で技術の開発、生産体制の構築を進める。
新棟の完成により、同社の窒化物半導体開発の強化を図り、2010年度の事業本格化を目指す。
