インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）は、低オン抵抗（内部抵抗）で大電流を扱える耐圧40V/60V/100Vの「HEXFET」パワーMOSFET9品種を発売した。
新製品は。標準論理レベルでゲートを駆動できるため、マイコンから直接駆動が可能で、大電力の直流モーター、蓄電池、無停電電源などの産業用途に向けた製品。
9品種ともIR社の最新トレンチ（溝）製造技術を採用して、オン抵抗を小さくしたことにより、熱特性を改善した。定格電流が大きいため、予期しない過渡現象に対する耐性が高くなっている。複数のMOSFETを並列接続して大電流を分担する回路を構成した場合、部品点数が少なくて済む。
今回のパッケージには、通常のパッケージに比べて定格電流が60％以上大きく、最大195Aとなっている。さらに、7ピンのD2Pakは、標準のD2Pakと比べてオン抵抗が16％低減されている。動作温度範囲はマイナス55度 - 175度で、耐湿レベルはMSL1。
1万個購入時の単価は、IRLB3043PbFが1.26米ドル。鉛フリーで欧州の規制RoHS（特定物質の使用規制）に準拠している。
