インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）は26日、耐圧25Vまたは30Vの「nチャネルHEXFETパワーMOSFETシリーズ」23品種を発売した。
民生用電子機器やコンピュータ/ネットワーク機器の充電池保護やDC-DCコンバータなどのスイッチング特性の改善に貢献する。
新しいシリーズは、IR社の最新トレンチ（溝）製造技術を使って、オン抵抗（内部抵抗）を低減し、スイッチング特性を改善した。デバイスの導通損失が小さいため、全負荷時に対する効率や熱特性を改善でき、スイッチング損失も小さいため、軽い負荷のときでも高い効率が得られる。
特にPQFN（パワーQFN）パッケージに収めたパワーMOSFETは、同じピン配置のS0-8（8ピンSOP）の製品と比べて、電力密度が改善されている。用途によっては、SO-8のMOSFETを2個使っていた回路で、PQFN品1個に置き換えることもできる。
1個のnチャネルMOSFETを内蔵した製品と、2個のnチャネルMOSFETを一つのパッケージに収めた製品を設定。MOSFETを1個内蔵した製品のパッケージには、面積が5×6mmまたは3×3mmのPQFNのほか、D-Pak、I-Pak、SO-8がある。
製品の1万個購入時の単価は、IRFH3707PbFが0.25米ドル。
