新日本製鐵は、技術開発本部先端技術研究所で今後の高性能パワー半導体デバイスの量産・普及のキー材料である6インチ口径の炭化ケイ素（SiC）単結晶ウェハの開発に国内で初めて成功したと発表した。
SiCウェハは現在、ダイオードやトランジスタなどの半導体デバイスの製造に用いられているシリコンウェハに比べてデバイスでの電力変換損失を半分以下に抑えることが可能。耐電圧性や耐熱性にも優れるため、太陽光発電や電気自動車やハイブリッドカーなど、高電圧・高温で使用されるパワーエレクトロニクス分野に適した材料となる。
現在市販されている高品質SiCウェハは、3インチ、4インチ口径が主流だが、デバイス生産の効率化と大電流・高電圧分野のSiCデバイスの開発・商品化に対するニーズが強く、これらのニーズに対応する大口径のSiCウェハが求められていた。
6インチウェハの実現で、より大電流・高電圧を制御する大面積デバイスの製造が可能となり、電気自動車やハイブリッドカー、高速鉄道など、さらに広い分野にSiCデバイスを適用することが可能になる。
今後、6インチウェハの量産化製造技術確立に向け、品質安定化と生産性向上技術開発、6インチSiCエピタキシャル膜製造技術開発を進めて、事業体である新日鉄マテリアルズが製造して6インチSiC単結晶ウェハ製品の市場供給を目指す。
