ロームは14日、電気自動車（EV）やハイブリッドカー（HV）用のインバータに搭載されているIGBTやパワーMOSFETの駆動に最適な絶縁素子内蔵ゲートドライバ「BM6103FV-C」を開発したと発表した。
開発品は、ローム独自のBiCDMOS技術と新規開発のオンチップトランスフォーマプロセス技術の融合により、絶縁素子を内蔵したゲートドライバとしては、業界最小の小型パッケージとなり、インバータ回路の小型化に貢献する。
また、従来のフォトカプラ方式に比べて消費電力を大幅に削減。EVやHVに必要な保護機能や品質要求を備え、インバータ・システムの設計負荷も軽減する。
さらに次世代パワー半導体として期待されるSiC（シリコンカーバイド：炭化ケイ素）を使用したパワーMOSFETの高速スイッチングにも対応。より高効率で低消費な次世代電気自動車の実現にも大きく貢献する。
サンプル出荷は2012年6月から開始し、同年9月から当面月産1万個の規模で量産を開始する。
