東芝は、岡山県立大学情報工学部情報通信工学科集積回路工学研究室 伊藤信之教授と共同で、直流帯から高周波のミリ波帯まで高精度に特性を再現できるMOS可変容量ダイオードのシミュレーションモデルを開発した。
開発したモデルは、1MHzの低周波から、今後利用拡大が見込まれる60GHzのミリ波帯におけるMOS可変容量ダイオードの持つ形状依存性を解析した結果を反映させて、独自の式を導入し、一つのモデルで実現したもの。色々なサイズが使われるMOS可変容量ダイオードについては、一つのモデルで実現するのは難しいとされている。
今回の手法を用いることで、発振回路の位相雑音電圧依存性が高精度で表現でき、RF-CMOS製品の低消費電力化を実現。今後は同社の注力するRF-CMOS製品開発の基盤技術として活用していく。また、将来の応用として、CMOS回路を使ったミリ波レーダなどの開発が可能となる。
