三菱電機は、Ku帯衛星通信地球局の電力増幅器向けに、世界で初めて電力増幅信号のひずみを補正する素子を内蔵した出力電力20WのKu帯GaN（窒素ガリウム）HEMT（高電子移動度トランジスタ）MMIC（モノリシックマイクロ波集積回路）を2月1日からサンプル出荷する。
新製品の高出力高周波トランジスタは、従来の50W品、80W品のGaN HEMTと組み合わせることで、電力増幅器の高出力部の増幅段を構成することができるため、電力増幅器の小型化・高性能化・開発期間の短縮に貢献する。
GaNの1チップ上に複数の増幅用トランジスタ・整合回路・リニアライザを搭載する。従来3個の製品で構成されていた増幅回路を1個にしたことで体積を約60％削減し、電力増幅器の小型化に貢献する。線形利得20dBと従来と比べて約1dB改善した。
また、従来外付けしていたリニアライザの内蔵により、電力増幅器の低ひずみ化を実現した。50W級トランジスタのドライバ段として使用することで、高出力時の線形性を確保した。
高性能化とともに電力増幅器の開発期間短縮に寄与する。
サンプル価格は8万円（税抜き）。
