ルネサス エレクトロニクス、車載マイコン内蔵のフラッシュメモリに28nmプロセス技術を確立

日本の半導体大手ルネサス エレクトロニクスは2月18日、車載マイコン内蔵のフラッシュメモリの大容量化を実現する28nmプロセス技術を世界で初めて確立したと発表した。

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現在のフラッシュメモリは40nmプロセスによって製造されており、28nmプロセスの確立は業界の技術水準の2世代先を行く高密度を実現でき、車載マイコンの大幅な高性能化が期待される。

今回の新フラッシュメモリの特徴は、高速読み出し速度を確認している点と、高信頼性を確認している点と、メモリの大容量化が可能となる点だ。具体的には、現在1台の車に複数個搭載されている自動車の電子制御ユニット（ECU）を1個に統合することも可能になるという。