トヨタ自動車は5月20日に、ハイブリッド車（HV）に搭載しているパワー半導体について、シリコンと炭素の化合物であるSiCを材料にした次世代タイプを開発したと発表した。2020年ごろHVでの実用化をめざす。
デンソーと豊田中央研究所との共同開発での成果となる。SiCパワー半導体は、現在のHVなどに採用しているシリコンパワー半導体より、制御の高効率化が可能で、電気エネルギーのロス低減などによって燃費性能の向上が図れる。
トヨタは開発したSiCパワー半導体を採用したPCU(パワーコントロールユニット)を試作車に搭載して試験し、5％を超える燃費性能の向上ができたという。将来は燃費を現行の半導体使用車より10％の燃費向上を図る計画だ。
同日、東京本社での技術説明会に出席した第3電子開発部の濱田公守担当部長は、「10％の燃費向上に届くのは その先になるかも知れないが、2020年ごろにはこの半導体をHVで実用化したい」と語った。トヨタは広瀬工場（豊田市）で半導体の開発・量産を行っており、13年12月にはSiC開発用のクリーンルームを新設している。
