STマイクロエレクトロニクスは、1200V耐圧のSiCパワーMOSFETの新製品「SCT20N120」を発表した。
新製品は、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。
新製品は、最高200度の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗を実現する。また、ターンオフ損失およびゲート電荷が安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能を維持。導通損失やスイッチング損失を低減し、高い信頼性を確保しつつ、放熱設計の簡略化に貢献する。
また新製品は、同等の定格を持つシリコンIGBTの最大3倍のスイッチング周波数を実現。外付け部品の小型化、省スペース化、軽量化や部材コスト低減を可能にし、電気自動車向け電力モジュールの冷却システムの設計も大幅に簡略化する。
パッケージは、熱効率の高いST独自のHiP247を採用。最大200度まで動作可能であると同時に、業界標準のTO-247パワー・パッケージと外形の互換性を持っている。
SCT20N120は現在量産中で、単価は1000個購入時で約8.50米ドル（約1008円）。
