ルネサス エレクトロニクスは2月3日、様々なプロセスに混載可能な、高書き換え耐性と書き換え時の低消費エネルギを実現する90nm 1トランジスタタイプのMONOS構造フラッシュメモリ技術を開発したと発表した。
昨今、自動車の低燃費化とともに、居住性・快適性が求められており、増加する電子制御ユニット（ECU）は、制御が複雑化するとともに、軽量化や低消費電力化、小型化が課題となっている。特にラジエータやウォーターポンプ、カーエアコン等で使用する小型モータは数が多いため、ECUの統合化や機電一体化も必要になる。
従来、これら小型モータ制御用の高電圧（HV）ドライバを制御するための車載アナログ＆パワー回路には、ベースプロセス変更なしでフラッシュメモリを搭載できないため、アナログの回路性能を最適化するためのチューニングデータを格納するメモリとして、e-fuse（1回書き込み型の不揮発メモリ）を内蔵するか、EEPROMチップが外付けされていた。
今回の新技術を用いることで、プロセスの追加を抑制しつつ、車載アナログ＆パワー回路にフラッシュメモリを容易に搭載することが可能になる。これにより、センサとモータを接続するための各種アナログ回路に、マイコンと新技術を用いたフラッシュメモリが混載可能となり、チップ数を大幅に削減し、小型、軽量化、低消費電力化を実現。ECUの統合化や機電一体の実現を加速し、自動車の低燃費化や、居住性・快適性の向上に貢献する。
また、今回、1億回の書き換えが可能なフラッシュメモリを内蔵したことで、フィールド上での使用環境に応じた自動キャリブレーションや高頻度のサンプリングによる状態記録が可能となり、車載制御の高精度化、低燃費化にも貢献できるようになる。
