OKIエンジニアリング（OEG）は7月27日、EV用パワー半導体を対象にした「劣化・寿命連続モニタリング試験サービス」を開始した。
パワー半導体の中でも特に、シリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などを使用したワイドギャップパワー半導体は、従来のシリコン（Si）パワー半導体より高電圧・高温・高速動作が可能で、高出力省エネ電源用としてEV、産業機器、鉄道車両、一般家電分野などで採用が進み、安全性・信頼性確保のための寿命予測の精度向上ニーズが高まっている。
寿命予測は高温逆バイアス試験によって行われるが、従来は、試験回路基板に複数のパワー半導体を搭載し、所定の時間ごとに試験を中断して、冷却後に専用テスターで電気的特性を測定して特性劣化や故障を判定していた。しかし、この方法では所定の時間内に劣化・故障が発生した個数は分かっても、個体別の劣化経過や故障時刻を正確に把握できず、精度の高い寿命予測は困難だった。
新サービスは高温逆バイアス試験とデータロガー、試験回路基板、故障検出装置（リーク電流測定器）を接続した独自開発の「全自動ログシステム」を組み合わせることにより、個体別に劣化経過と故障発生の常時モニタリングを可能とした。1000Vまでの電圧源に対応し、ワイドギャップパワー半導体の試験も可能。OEGが培ってきた長期信頼性試験のノウハウを活用して、適用温度に耐えられる試験回路基板や、試験対象のパワー半導体の特性にあった故障検出装置を設計・自作し、複数のパワー半導体のうちの1個が故障しても残りの半導体の試験に影響を与えない保護回路も付加した。これにより、所定の時間ごとに試験を中断する必要がなくなり、試験期間全体を18％短縮する。
OEGでは、パワー半導体メーカー、高品質なパワー半導体を自社製品に採用したい装置メーカーを顧客として7月27日からサービスを開始。年間5000万円の売り上げを目指す。