デンソーとユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン(USJC)は5月10日、300mmウェーハでの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の出荷を開始した。世界的なカーボンニュートラルに向けた取り組みにて、電動車の開発・普及が加速する中、電動車は航続距離や電費のさらなる向上が重要な課題となっている。このような背景から、電動車のモーターを駆動・制御するインバーターに採用されているパワー半導体には、発熱による電力損失の低減と小型化が求められている。