電気自動車の性能向上へ、三菱電機、新型パワー半導体を発表

xEV用SiC-MOSFETを製造したウエハ(左)とサンプル提供を開始するチップ(右)(イメージ)
xEV用SiC-MOSFETを製造したウエハ(左)とサンプル提供を開始するチップ(右)(イメージ)全 1 枚

三菱電機は11月14日から、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)などの電動車(xEV)向けSiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始すると発表した。同社として初めて、標準仕様のパワー半導体チップを市場に供給する。

この新型チップは、三菱電機独自の構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETを使用している。従来のプレーナー型と比較して電力損失を約50%低減し、xEVの航続距離延長や電費改善に貢献する。また、独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、長期使用における品質の安定性を実現している。

《森脇稔》

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