アイシン、大容量MRAM搭載のエッジAI半導体を共同開発…エネルギー効率50倍以上

NEDO（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）は、アイシン、東北大学と共同で、磁気抵抗メモリ（MRAM）を大容量搭載したエッジ領域向け「CMOS/スピントロニクス融合AI半導体」を開発したと発表した。

開発した実証チップは、動作時および待機時電力の大幅低減、起動時間の短縮が可能で、実証システムでの検証において従来比でエネルギー効率50倍以上、起動時間30分の1以下の改善効果を確認した。