オンセミは、グローバルファウンドリーズ(GF)と協業契約を締結し、次世代窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの開発および製造を650V製品から開始すると発表した。
この協業により、オンセミはGFの最先端200mm eMode GaN-on-siliconプロセスを活用し、高度なGaNパワー製品を開発する。同社の高性能GaNデバイスおよび統合型パワーステージのロードマップを加速させ、AIデータセンター、電気自動車、再生可能エネルギー、産業システム、航空宇宙、防衛、セキュリティ分野で増大する電力需要に対応する。
オンセミは、業界をリードするシリコンドライバ、コントローラ、熱特性が強化されたパッケージをGFの650V GaN技術プラットフォームと組み合わせ、より高い電力密度と効率を備え最適化されたGaNデバイスを提供する。
応用分野には、AIデータセンター向けの電源やDC-DCコンバータ、電気自動車向けのオンボードチャージャやDC-DCコンバータ、ソーラーマイクロインバータやエネルギー貯蔵システム、産業および航空宇宙、防衛、セキュリティ用途向けのモータードライブやDC-DCコンバータが含まれる。
この取り組みにより、オンセミの先進的なパワー半導体ポートフォリオが拡充され、低、中、高電圧の横型GaNから超高電圧の縦型GaN(vGaN)まで、GaN技術のあらゆる領域をカバーする。システム設計者はより小さなスペースでより大きな電力を供給する次世代パワーアーキテクチャーを構築できるようになる。
GaNの利点は、高周波動作により、より高いスイッチング周波数で動作するため、効率と熱特性を改善しながら、部品点数、システムサイズ、コストを削減できる。
双方向機能により、従来の単方向トランジスターを最大4個置き換えることができるまったく新しいトポロジーを可能にし、コスト削減とシンプルな設計を実現する。
統合された機能として、GaN FETとドライバー、コントローラ、アイソレーション、保護機能を単一パッケージに統合することにより、設計サイクルの短縮および電磁干渉の低減が可能になる。熱特性が強化されたパッケージと最適化されたゲートドライバーにより、高速スイッチング時でも性能と信頼性を向上させる。
オンセミは2026年前半にサンプル提供を開始する予定だ。
