オンセミは、グローバルファウンドリーズ(GF)と協業契約を締結し、GFの最先端200mm eMode GaN-on-siliconプロセスを使用して、高度な窒化ガリウム(GaN)パワー製品を650V製品から開発・製造すると発表した。
この協業により、オンセミの高性能GaNデバイスおよび統合型パワーステージのロードマップが加速する。AIデータセンター、EV、再生可能エネルギー、産業システム、航空宇宙、防衛、セキュリティ分野で増大する電力需要に対応する高電圧製品を追加し、ポートフォリオを拡充する。
オンセミは、業界をリードするシリコンドライバ、コントローラ、熱特性が強化されたパッケージをGFの650V GaN技術プラットフォームと組み合わせ、より高い電力密度と効率を備え最適化されたGaNデバイスを提供する。
アプリケーションには、AIデータセンター向けの電源やDC-DCコンバータ、電気自動車向けのオンボードチャージャやDC-DCコンバータ、ソーラーマイクロインバータやエネルギー貯蔵システム、産業および航空宇宙、防衛、セキュリティ用途向けのモータードライブやDC-DCコンバータが含まれる。
この取り組みにより、オンセミの先進的なパワー半導体ポートフォリオが拡充され、低、中、高電圧の横型GaNから超高電圧の縦型GaN(vGaN)まで、GaN技術のあらゆる領域をカバーするようになる。システム設計者はより小さなスペースでより大きな電力を供給する次世代パワーアーキテクチャーを構築できるようになる。
高周波動作により、GaNはより高いスイッチング周波数で動作するため、効率と熱特性を改善しながら、部品点数、システムサイズ、コストを削減できる。双方向機能により、従来の単方向トランジスターを最大4個置き換えることができるまったく新しいトポロジーを可能にし、コスト削減とシンプルな設計を実現する。統合された機能として、GaN FETとドライバー、コントローラ、アイソレーション、保護機能を単一パッケージに統合することにより、設計サイクルの短縮および電磁干渉の低減が可能になる。
なお、オンセミは2026年前半にサンプル提供を開始する予定だ。
