ロームは、本田技術研究所（ホンダの研究開発部門子会社）と共同で、SiC-SBD、SiC-MOSFETを搭載した1200V・230Aクラスの次世代の電気動力車向けハイパワーインバータモジュールを開発したと発表した。
今回のモジュールは、ロームのSiCデバイス技術と本田技術研究所のハイパワーモジュール技術を融合させることで実現した。フルSiCデバイスによるハイパワーインバータモジュールとしては世界初のもの。開発したハイパワーインバータモジュールの機能には、コンバータ回路（1相）とインバータ回路（3相）をワンパッケージに搭載しており、小型化した。
急速に普及しているハイブリッド車や電気自動車など、パワーエレクトニクスが必要とされる分野では、現在用いられているSiデバイスよりも電力変換時の損失が少なく、材料物性に優れた、SiCデバイスの実用化が期待されており、これに対応した。
今回開発したSiCデバイス搭載のハイパワーモジュールをハイブリッドカーや電気自動車に適用することで、損失の軽減、システムの小型化・軽量化の大幅な改善が期待される。今後は、SiC−MOSFET単体性能を十分に引き出すパワーモジュール構造の改善とともに、SiC-MOSFETの微細化や構造の改良により大きな性能進化を目指す。
