フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンは、GSM EDGE基地局向けに、横方向拡散金属酸化半導体技術（LDMOS：Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）に基づく3種類の新しい高性能RFパワー・トランジスタを発表した。
新デバイスでは一部、これまで対応が難しかったFクラス動作を含む機能強化も実現している。
「MRFE6S9046N」は、920-960MHzで動作し、17.8Wの平均RFパワー出力で19dBのゲイン、最大42.5％の効率、最大2.1％（RMS）のEVMを実現する。デバイスはフリースケールのオーバーモールド・プラスチック・パッケージを採用しており、改善された寸法公差を併せ持つほか、表面実装が可能なため、自動ピックアンドプレース製造と適合性がある。内部出力整合により、基本周波数における使い易い終端インピーダンスが可能。クラスFアンプに合致するよう第2および第3高調波終端も備えているため、高い効率を実現した。
MRF8S9100H/HS（920-960MHz）、MRF8S18120H/HS（1805-1880MHz）の2つの28Vデバイスは、GSMシステムおよびEDGEシステムにおけるクラス AB級、クラス C級動作を対象としている。MRF8S9100H/HSはGSM EDGEサービスにおいて45Wの平均出力、19.1dBのゲイン、44%の効率(940MHz動作時)、2.0%(RMS)のEVMを実現する。
MRFE6S9046Nは量産が開始されており、サンプルの入手も可能。MRF8S9100H/HSおよびMRF8S18120H/HSは現在サンプル出荷中で、量産開始は2009年7月を予定している。また、リファレンス・テスト・フィクスチャおよびラージ・シグナル・モデルも7月に提供開始の予定。
