インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）は12月8日、耐放射線特性を強化したパワーMOSFETの受注を開始した。
今回製品化した3品種は、耐圧100ボルトで、新開発のパッケージSMD0.2に搭載する。SMD0.2は、ハーメチックシール（気密封止）の小型表面実装パッケージで、衛星の電源や電源系バス・システムなどの宇宙用向け。
ハーメチックシールの小型パッケージMD0.2は、熱伝導率を高めるため、窒化アルミニウムのセラミックを使用して耐放射線型MOSFET専用に開発した。サイズは0.3×0.2×0.1（インチ）で、重量は0.25グラムと小型・軽量化した。従来のSMD0.5パッケージと比べて、実装面積は50％小型化、重さは75％軽量化した。最大消費電力は、従来品と同じ23W程度。
100個購入時の単価はIRHNM57110とIRHNM597110の371米ドルから、IRHLNM77110が465米ドルまで。
