大阪大学産業科学研究所フレキシブル3D実装協働研究所の陳伝彤特任准教授らの研究グループとダイセルは7月17日、銀（Ag）とシリコン（Si）の複合焼結材料の新開発に成功したと発表した。
この新開発材料は、銀のみを使用した従来材料と比較し、厳しい熱衝撃試験後の結果において（-50度～250度で1000サイクル）、約2倍の強度保持率を達成している。この材料を使用することで、極めて高い信頼性を維持しながら、材料コストの削減を実現する高性能パワー半導体の製造につなげることができるとしている。
脱炭素化の社会において、EV（電気自動車）の普及に欠かせないのが「SiC（炭化ケイ素）パワー半導体」だ。この半導体は、電力変換ロスを大幅に低減し、機器の小型化や、CO2排出量削減に大きく貢献する。しかし、200度を超える高温環境下では動作上の課題を抱えており、その課題に対して、安定的な動作を保証するための耐熱・放熱技術や、構造信頼性を維持する材料の開発が遅れていた。
今回の新接合材料では、銀とシリコンの接合界面におけるシリコン表面に酸化膜ができることで、低温界面が確実に形成され、低い熱膨張係数の接合材料を実現し、界面亀裂の発生および構造破壊の問題が大幅に改善された。さらにシリコンの添加量を調整することにより熱膨張係数の制御が可能となる。
