東芝デバイス&ストレージと山東天岳先進科技股份有限公司（SICC）が、SiCパワー半導体用ウエハーに関する技術協力について基本合意した。
SiCパワー半導体の特性向上と品質改善に向けた技術協力を行い、高品質で安定的なウエハー供給の拡大を目指す。両社は今後、共同もしくは相互協力による取り組みについて詳細な協議を進める。
パワー半導体は電力供給や制御を担う重要な半導体で、省エネルギー化やカーボンニュートラル実現に不可欠な存在だ。特にSiCウエハーを用いたパワー半導体は、電気自動車や再生可能エネルギーシステムなどの高効率電力変換用途で需要が拡大している。高温環境下での動作が求められるため、電力効率に加えて信頼性や品質の安定性が課題となっている。
