日本ガイシは、9月14日から19日まで韓国・釜山で開催される国際会議「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM）2025」に参加すると発表した。
ICSCRMは次世代パワー半導体素子に使われる炭化ケイ素（SiC）に関する世界最大の国際会議。同社は開発中のSiCウエハーに関する研究成果を発表するとともに、関連製品を展示する。
同社は9月19日の講演で、8インチSiCウエハーの基底面転位（BPD）低減に関する研究成果を発表する。SiCパワーデバイスの歩留まりや信頼性の向上に対し、SiCウエハーのBPD低減は重要な課題となっている。
