SiCウェーハ内の潜在結晶欠陥を短時間で可視化、UVレーザー照射で…東京エレクトロンデバイスとアイテス

東京エレクトロンデバイスのロゴ
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東京エレクトロン デバイス(以下TED)と、電子部品の分析解析・信頼性評価サービスを手掛けるアイテスは、SiC(シリコンカーバイド)デバイス向けの潜在欠陥検査ソリューション分野で協業すると発表した。

両社は、UVレーザー照射によりSiCウェーハ内の潜在結晶欠陥を拡張・可視化する新製品「SiC潜在欠陥検査装置/通電劣化シミュレーター ITS-SCX100」の開発・販売を通じて、パワーエレクトロニクス分野を中心とした高信頼デバイス開発を支援する。

省エネルギー化やカーボンニュートラルの実現に向け、SiCデバイスは自動車・産業機器・再生可能エネルギーなど多様な分野で採用が拡大している。


《森脇稔》

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