レゾナックと電力中央研究所は、「パワー半導体用高品質SiCエピタキシャルウェハー（エピウェハー）の高生産性製造技術」の開発において、市村清新技術財団が主催する第58回市村産業賞「貢献賞」を共同で受賞した。
本技術は、次世代パワー半導体材料として注目されるSiC（シリコンカーバイド）エピウェハーの高品質化と高生産性の両立を実現するものだ。
レゾナックは電力中央研究所との共同研究を基盤に、装置メーカーとの技術連携やデバイスメーカーなどからの評価・フィードバックを取り入れながら開発を進めてきた。EV（電気自動車）、データセンター電源、鉄道、電力制御機器などにおける省エネルギー化と高効率化への貢献が期待されている。
