国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）は、研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）実装支援（返済型）の2025年度募集において、東京大学発スタートアップのGaianixxに対する開発支援を決定した。
近年、圧電センサーやアクチュエーターをはじめとする圧電デバイス市場は、医療機器・自動車用センサー・民生用電子機器など幅広い分野で急速に成長している。これらの用途では高性能化・低コスト化・高いエネルギー変換効率が求められており、鉛フリー圧電セラミックスや単結晶圧電体などの先進的な圧電材料の開発が進められている。
圧電センサーやアクチュエーターに用いられる機能性薄膜は、基板上に結晶成長させる方法で製造される。しかし従来のエピタキシャル成長技術では、基板と機能性薄膜の格子サイズの差が大きい場合、薄膜に歪みやひび割れ、結晶欠陥が生じることがあった。こうした結晶欠陥がデバイス特性を著しく低下させる要因となっていた。
