オンセミ、窒化ガリウム半導体「GaNEXUS」発表…EVの充電など向けに高効率化

オンセミの窒化ガリウム半導体「GaNEXUS」
オンセミの窒化ガリウム半導体「GaNEXUS」全 1 枚

米国アリゾナ州に本社を置く半導体メーカー、オンセミ(onsemi)は、窒化ガリウム(GaN)パワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。

初期ラインアップには、40Vから650Vの電圧範囲に対応するGaNEXUS FETと、保護機能を内蔵した650V GaNEXUS Smart GaN FETが含まれる。米国国内ではすでにサンプル出荷が始まっており、日本国内での提供時期は未定だ。

GaNEXUSは、AIデータセンタの電力供給、48Vシステム、ロボティクスおよび産業オートメーション、エネルギーインフラなど、高い電力需要を伴うアプリケーションを主な対象としている。

《森脇稔》

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