住友ベークライトは、東北大学との共同研究により、小型かつ高出力密度を実現する樹脂絶縁二層構造の3D SiC-MOSFETパワーモジュールを開発したと発表した。
本成果は、両者が2025年1月に設立した「次世代半導体向け素材・プロセス共創研究所」の枠組みのもとで得られたものだ。次世代の電動車両やエネルギー機器に向けた技術基盤として期待される。
■開発の背景
EVの性能向上と航続距離の延長に伴い、車両の軽量化と動力システムの省スペース化の重要性が高まっている。特にモータ駆動用インバータなどのパワーエレクトロニクス分野では、高効率化とパワーデバイスの発熱増加への対応が不可欠となっており、次世代パワーモジュールの研究開発が世界的に活発化している。
